
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
96+ | 323.36 грн |
101+ | 306.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns, Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 436 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 536 W.
Інші пропозиції IKW75N65EL5XKSA1 за ціною від 203.69 грн до 613.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 436 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 536 W |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 Код товару: 190876
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|