Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW75N65EL5XKSA1
IKW75N65EL5XKSA1

IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw75n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+338.80 грн
101+321.59 грн
500+305.46 грн
1000+277.95 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns, Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 436 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 536 W.

Інші пропозиції IKW75N65EL5XKSA1 за ціною від 182.46 грн до 642.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+338.80 грн
101+321.59 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+338.93 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+363.14 грн
10+304.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+394.08 грн
50+389.31 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW75N65EL5_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.29 грн
10+287.05 грн
100+209.17 грн
480+204.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.11 грн
30+270.13 грн
120+226.36 грн
510+182.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000241586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+520.60 грн
10+306.67 грн
100+267.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+604.90 грн
36+362.03 грн
100+304.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+642.75 грн
10+384.72 грн
100+323.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1
Код товару: 190876
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.