Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW75N65EL5XKSA1 за ціною від 249.06 грн до 658.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 436 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 536 W |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V MSL: - Verlustleistung: 536W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 96+ | 368.79 грн |
| 101+ | 350.05 грн |
| 500+ | 332.49 грн |
| 1000+ | 302.56 грн |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 96+ | 368.79 грн |
| 101+ | 350.05 грн |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 368.93 грн |
| 10+ | 309.17 грн |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 368.93 грн |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 428.96 грн |
| 50+ | 423.76 грн |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 533.42 грн |
| 30+ | 296.81 грн |
| 120+ | 249.06 грн |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 653.00 грн |
| 10+ | 390.85 грн |
| 100+ | 328.37 грн |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 658.44 грн |
| 36+ | 394.07 грн |
| 100+ | 331.08 грн |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: -
Verlustleistung: 536W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: -
Verlustleistung: 536W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IKW75N65EL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






