IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 293.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns, Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 436 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 536 W.
Інші пропозиції IKW75N65EL5XKSA1 за ціною від 266.82 грн до 715.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 436 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 536 W |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 536W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 Код товару: 190876 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|