Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW75N65ES5XKSA1
IKW75N65ES5XKSA1

IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw75n65es5-ds-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+346.89 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns, Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.

Інші пропозиції IKW75N65ES5XKSA1 за ціною від 164.17 грн до 563.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+397.76 грн
10+385.18 грн
25+321.43 грн
100+273.70 грн
240+252.21 грн
480+220.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+428.36 грн
30+414.81 грн
36+346.16 грн
100+294.75 грн
240+271.62 грн
480+237.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.76 грн
30+245.50 грн
120+204.78 грн
510+164.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.28 грн
3+345.55 грн
8+327.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+512.09 грн
10+439.64 грн
100+289.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW75N65ES5_DS_v02_02_EN-1226903.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+545.42 грн
10+535.94 грн
25+245.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.13 грн
3+430.61 грн
8+392.64 грн
120+377.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.