IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 481.92 грн |
| 30+ | 370.01 грн |
| 120+ | 331.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns, Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 435 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 333 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IKW75N65ET7XKSA1 за ціною від 245.06 грн до 759.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65ET7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW75N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |