IKW75N65ET7XKSA1

IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikw75n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+269.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns, Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 435 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 333 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IKW75N65ET7XKSA1 за ціною від 229.75 грн до 547.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+343.71 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+352.64 грн
100+335.32 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Виробник : INFINEON 3204747.pdf Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.31 грн
5+355.63 грн
10+353.96 грн
50+250.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW75N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361891.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.46 грн
10+410.04 грн
25+259.58 грн
100+245.41 грн
240+244.67 грн
480+229.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.88 грн
30+305.57 грн
120+256.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65et7.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.