IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 644.65 грн |
| 30+ | 364.04 грн |
| 120+ | 307.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns, Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IKW75N65RH5XKSA1 за ціною від 296.03 грн до 728.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 395W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 168nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IKW75N65RH5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 696.49 грн |
| 5+ | 552.58 грн |
| 10+ | 407.86 грн |
| 50+ | 353.53 грн |
| 100+ | 302.37 грн |
| 250+ | 296.03 грн |
| IKW75N65RH5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 728.55 грн |
| 10+ | 507.40 грн |
| 100+ | 367.92 грн |
| 480+ | 327.74 грн |
| 1200+ | 306.60 грн |
| IKW75N65RH5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 412.06 грн |