IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 711.35 грн |
| 20+ | 637.36 грн |
| 50+ | 488.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns, Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IKW75N65RH5XKSA1 за ціною від 344.46 грн до 774.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65VsattariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode |
товару немає в наявності |