IKW75N65RH5XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 666.00 грн |
| 5+ | 540.56 грн |
| 10+ | 414.29 грн |
| 50+ | 357.88 грн |
| 100+ | 305.59 грн |
| 250+ | 299.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65RH5XKSA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns, Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IKW75N65RH5XKSA1 за ціною від 315.61 грн до 747.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode |
на замовлення 90 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKW75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |