Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW75N65SS5XKSA1
IKW75N65SS5XKSA1

IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies

ikw75n65.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+886.7 грн
10+ 843.42 грн
25+ 840.39 грн
50+ 792.05 грн
100+ 708.15 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns, Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.

Інші пропозиції IKW75N65SS5XKSA1 за ціною від 488.13 грн до 1805.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+908.3 грн
25+ 905.03 грн
50+ 852.98 грн
100+ 762.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+933.09 грн
10+ 911.33 грн
25+ 709.22 грн
50+ 626.65 грн
100+ 587.36 грн
240+ 570.04 грн
1200+ 488.13 грн
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : INFINEON 3177186.pdf Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1166.13 грн
5+ 1089.19 грн
10+ 1012.24 грн
50+ 920.52 грн
100+ 746.62 грн
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+1805.63 грн
9+ 1458.39 грн
10+ 1448.47 грн
50+ 1234.11 грн
100+ 1062.97 грн
200+ 994.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf SP004038158
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній