IKW75N65SS5XKSA1

IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies


ikw75n65.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+619.57 грн
10+599.63 грн
25+591.63 грн
50+558.99 грн
100+517.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns, Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.

Інші пропозиції IKW75N65SS5XKSA1 за ціною від 361.47 грн до 1118.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+637.14 грн
50+624.28 грн
100+623.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : INFINEON 3177186.pdf Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+692.41 грн
5+580.17 грн
10+467.11 грн
50+419.95 грн
100+374.21 грн
250+361.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+745.25 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1010.68 грн
30+591.99 грн
120+508.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1026.92 грн
13+1010.65 грн
50+944.16 грн
100+870.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1030.81 грн
10+1012.70 грн
25+586.34 грн
100+517.92 грн
240+517.18 грн
480+509.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1118.89 грн
25+1067.23 грн
50+1024.28 грн
100+952.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf SP004038158
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw75n65.pdf IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.