Продукція > INFINEON > IKWH100N65EH7XKSA1
IKWH100N65EH7XKSA1

IKWH100N65EH7XKSA1 INFINEON

3983224.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+647.02 грн
5+525.71 грн
10+404.39 грн
50+374.74 грн
100+345.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKWH100N65EH7XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 106 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns, Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 199 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 140 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Power - Max: 427 W.

Інші пропозиції IKWH100N65EH7XKSA1 за ціною від 321.49 грн до 754.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKWH100N65EH7XKSA1 IKWH100N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKWH100N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508418a2054 Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 427 W
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+740.10 грн
30+420.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH100N65EH7XKSA1 IKWH100N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKWH100N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421914.pdf IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.44 грн
10+718.28 грн
25+388.44 грн
100+359.75 грн
240+357.54 грн
480+321.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH100N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikwh100n65eh7-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.