Продукція > INFINEON > IKWH40N65EH7XKSA1
IKWH40N65EH7XKSA1

IKWH40N65EH7XKSA1 INFINEON

3983221.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+391.07 грн
10+279.10 грн
100+247.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKWH40N65EH7XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns, Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 208 W.

Інші пропозиції IKWH40N65EH7XKSA1 за ціною від 158.52 грн до 406.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKWH40N65EH7XKSA1 IKWH40N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKWH40N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a52292084 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.74 грн
30+216.58 грн
120+179.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH40N65EH7XKSA1 IKWH40N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKWH40N65EH7_DataSheet_v01_20_EN-3422502.pdf IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.71 грн
10+394.99 грн
25+217.24 грн
100+187.15 грн
240+186.41 грн
480+158.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH40N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikwh40n65eh7-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.