IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 355.86 грн |
| 10+ | 287.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns, Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 208 W.
Інші пропозиції IKWH40N65EH7XKSA1 за ціною від 171.15 грн до 413.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKWH40N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKWH40N65EH7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKWH40N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |