Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKWH40N65EH7XKSA1
IKWH40N65EH7XKSA1

IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKWH40N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a52292084
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+386.40 грн
30+209.27 грн
120+173.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns, Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 208 W.

Інші пропозиції IKWH40N65EH7XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKWH40N65EH7XKSA1 IKWH40N65EH7XKSA1 INFINEON 3983221.pdf Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH40N65EH7XKSA1 IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH40N65EH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH40N65EH7XKSA1 3983221.pdf
IKWH40N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH40N65EH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKWH40N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.