IKWH50N65EH7XKSA1

IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a160b2076 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+407.01 грн
10+ 329.22 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns, Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 249 W, Package / Case: TO-247-3, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns.

Інші пропозиції IKWH50N65EH7XKSA1 за ціною від 195.79 грн до 472.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a160b2076 IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+442.07 грн
10+ 366.06 грн
25+ 301 грн
100+ 257.72 грн
240+ 243.07 грн
480+ 228.42 грн
1200+ 195.79 грн
IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Виробник : INFINEON 3983222.pdf Description: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+472.88 грн
10+ 405.64 грн
100+ 350.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a160b2076 INDUSTRY 14
товар відсутній