IKWH50N65EH7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 387.20 грн |
| 10+ | 234.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKWH50N65EH7XKSA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns, Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 249 W.
Інші пропозиції IKWH50N65EH7XKSA1 за ціною від 152.69 грн до 470.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKWH50N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 249 W |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKWH50N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|