Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKWH75N65EH7XKSA1
IKWH75N65EH7XKSA1

IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+545.74 грн
30+300.66 грн
120+251.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 89 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns, Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 341 W.

Інші пропозиції IKWH75N65EH7XKSA1 за ціною від 326.39 грн до 704.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikwh75n65eh7-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+704.51 грн
10+528.06 грн
25+506.61 грн
50+483.64 грн
100+326.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikwh75n65eh7-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+704.51 грн
27+528.06 грн
28+506.61 грн
50+483.64 грн
100+326.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 INFINEON 3983223.pdf Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH75N65EH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 infineon-ikwh75n65eh7-datasheet-v01_20-en.pdf
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+704.51 грн
10+528.06 грн
25+506.61 грн
50+483.64 грн
100+326.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 infineon-ikwh75n65eh7-datasheet-v01_20-en.pdf
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+704.51 грн
27+528.06 грн
28+506.61 грн
50+483.64 грн
100+326.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 3983223.pdf
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon_IKWH75N65EH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.