IKWH75N65EH7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 521.97 грн |
| 5+ | 450.34 грн |
| 10+ | 378.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKWH75N65EH7XKSA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 89 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns, Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 341 W.
Інші пропозиції IKWH75N65EH7XKSA1 за ціною від 229.71 грн до 613.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 341 W |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |