IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 422.00 грн |
| 30+ | 231.59 грн |
| 120+ | 193.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 89 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns, Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 341 W.
Інші пропозиції IKWH75N65EH7XKSA1 за ціною від 235.08 грн до 693.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKWH75N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |