Продукція > INFINEON > IKWH75N65EH7XKSA1
IKWH75N65EH7XKSA1

IKWH75N65EH7XKSA1 INFINEON

3983223.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.86 грн
10+282.34 грн
100+265.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKWH75N65EH7XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 89 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns, Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 341 W.

Інші пропозиції IKWH75N65EH7XKSA1 за ціною від 216.51 грн до 699.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKWH75N65EH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.48 грн
10+278.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.96 грн
30+259.13 грн
120+216.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikwh75n65eh7-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+699.77 грн
10+524.50 грн
25+503.20 грн
50+480.38 грн
100+324.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikwh75n65eh7-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+699.77 грн
27+524.50 грн
28+503.20 грн
50+480.38 грн
100+324.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikwh75n65eh7-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.