на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.63 грн |
| 10+ | 444.31 грн |
| 25+ | 307.12 грн |
| 240+ | 306.37 грн |
| 480+ | 288.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 80A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/280ns, Switching Energy: 2.18mJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції IKY40N120CH3XKSA1 за ціною від 241.62 грн до 653.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKY40N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IKY40N120CH3XKSA1 - IGBT, 80 A, 2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKY40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKY40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-4 Td (on/off) @ 25°C: 30ns/280ns Switching Energy: 2.18mJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKY40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IKY40N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 136W Case: TO247PLUS-4 Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 306ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IKY40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IKY40N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 136W Case: TO247PLUS-4 Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 306ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 |
товару немає в наявності |