Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKY50N120CH3XKSA1

IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKY50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 100A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IKY50N120CH3XKSA1 за ціною від 421.86 грн до 867.12 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IKY50N120CH3XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IKY50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKY50N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/296ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	867.12 грн
30+	496.18 грн
120+	421.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IKY50N120CH3XKSA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKY50N120CH3XKSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/296ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	867.12 грн
30+	496.18 грн
120+	421.86 грн

В кошику од. на суму грн.