IKY75N120CH3XKSA1


Infineon-IKY75N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8176aea052c
Код товару: 143781
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKY75N120CH3XKSA1 за ціною від 431.27 грн до 920.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKY75N120CH3_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+889.25 грн
10+528.81 грн
100+431.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKY75N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8176aea052c Description: IGBT 1200V 150A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 292 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/303ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+920.98 грн
30+539.47 грн
120+463.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Infineon-IKY75N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8176aea052c IGBT 1200V 150A, TO247-4-2 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKY75N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 0.37µC
Turn-off time: 335ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 256W
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247PLUS-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.