IKY75N120CH3XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IKY75N120CH3XKSA1 - IKY75N120 1200V, 75A IGBT WITH ANTI-PAR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 854.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKY75N120CH3XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: IGBT 1200V 150A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 292 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/303ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 938 W.
Інші пропозиції IKY75N120CH3XKSA1 за ціною від 431.59 грн до 992.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 150A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 292 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4 Td (on/off) @ 25°C: 38ns/303ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.9mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 938 W |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKY75N120CH3XKSA1 Код товару: 143781
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
|
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Turn-on time: 70ns Gate charge: 0.37µC Turn-off time: 335ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 256W Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: TRENCHSTOP™ Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247PLUS-4 |
товару немає в наявності |