Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKZ75N65EL5

IKZ75N65EL5 Infineon technologies


Виробник: Infineon technologies

на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKZ75N65EL5 Infineon technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ 5, Power dissipation: 268W, Case: TO247-4, Mounting: THT, Gate charge: 436nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 143ns, Turn-off time: 325ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 300A.

Інші пропозиції IKZ75N65EL5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.