Продукція > INFINEON > IKZ75N65EL5XKSA1
IKZ75N65EL5XKSA1

IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON

Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Verlustleistung: 536W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+561.63 грн
5+459.66 грн
10+356.88 грн
50+305.42 грн
100+257.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON

Description: IGBT 650V 100A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 59 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns, Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 436 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 536 W.

Інші пропозиції IKZ75N65EL5XKSA1 за ціною від 248.10 грн до 638.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9 Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.18 грн
30+327.59 грн
120+275.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.92 грн
10+411.76 грн
100+266.42 грн
480+248.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+585.18 грн
30+327.59 грн
120+275.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+638.92 грн
10+411.76 грн
100+266.42 грн
480+248.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.