на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 657.64 грн |
| 10+ | 393.11 грн |
| 100+ | 276.19 грн |
| 480+ | 237.70 грн |
| 1200+ | 209.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKZ75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 72 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns, Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IKZ75N65ES5XKSA1 за ціною від 330.87 грн до 707.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKZ75N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKZ75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKZ75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IKZ75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IKZ75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IKZ75N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 197W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 164nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 427ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IKZ75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IKZ75N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 197W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 164nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 427ns |
товару немає в наявності |