Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKZA50N65EH7XKSA1
IKZA50N65EH7XKSA1

IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250890122069
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+451.18 грн
30+247.16 грн
120+206.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns, Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 103 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IKZA50N65EH7XKSA1 за ціною від 191.01 грн до 525.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 INFINEON 3983226.pdf Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.91 грн
10+305.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.45 грн
10+346.10 грн
100+241.76 грн
480+214.97 грн
1200+191.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1 3983226.pdf
IKZA50N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+490.91 грн
10+305.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon_IKZA50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKZA50N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+525.45 грн
10+346.10 грн
100+241.76 грн
480+214.97 грн
1200+191.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.