IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 251.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns, Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 103 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IKZA50N65EH7XKSA1 за ціною від 162.30 грн до 460.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKZA50N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKZA50N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKZA50N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 103 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKZA50N65EH7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IKZA50N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
INDUSTRY 14 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
IKZA50N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |