IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 361.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
64 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IKZA50N65RH5XKSA1 за ціною від 265.76 грн до 656.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKZA50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IKZA50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
на замовлення 263 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IKZA50N65RH5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IKZA50N65RH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: TO247-4 Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC |
на замовлення 960 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IKZA50N65RH5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 612.85 грн |
| IKZA50N65RH5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 263 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 656.90 грн |
| 10+ | 377.29 грн |
| 100+ | 274.02 грн |
| 480+ | 265.76 грн |
| IKZA50N65RH5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IKZA50N65RH5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 337.57 грн |