IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IKZA50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28569031b5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+551.09 грн
30+307.21 грн
120+258.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns, Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 305 W.

Інші пропозиції IKZA50N65RH5XKSA1 за ціною від 229.07 грн до 561.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKZA50N65RH5XKSA1 IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.63 грн
10+330.70 грн
100+241.05 грн
480+229.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+561.63 грн
10+330.70 грн
100+241.05 грн
480+229.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.