Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKZA50N65RH5XKSA1
IKZA50N65RH5XKSA1

IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IKZA50N65RH5XKSA1 за ціною від 337.30 грн до 337.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKZA50N65RH5XKSA1 IKZA50N65RH5XKSA1 INFINEON 3177184.pdf Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+337.30 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 3177184.pdf
IKZA50N65RH5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+337.30 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.