IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Verlustleistung: 274W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції IKZA50N65SS5XKSA1 за ціною від 981.46 грн до 1065.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKZA50N65SS5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 274W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
IKZA50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| IKZA50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IKZA50N65SS5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IKZA50N65SS5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKZA50N65SS5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1065.29 грн |
| 10+ | 981.46 грн |