Продукція > INFINEON > IKZA75N65EH7XKSA1
IKZA75N65EH7XKSA1

IKZA75N65EH7XKSA1 INFINEON

3983227.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+501.63 грн
5+414.47 грн
10+327.30 грн
50+296.49 грн
100+266.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKZA75N65EH7XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 56 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns, Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 152 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 338 W.

Інші пропозиції IKZA75N65EH7XKSA1 за ціною від 236.27 грн до 527.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKZA75N65EH7XKSA1 IKZA75N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65EH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.19 грн
10+313.65 грн
100+236.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1 IKZA75N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.45 грн
30+292.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.