на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 375.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IKZA75N65RH5XKSA1 за ціною від 339.04 грн до 779.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKZA75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBT Discrete Chip |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKZA75N65RH5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IKZA75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IKZA75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKZA75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKZA75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP004038216 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
IKZA75N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
товару немає в наявності |