IKZA75N65RH5XKSA1

IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+383.90 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IKZA75N65RH5XKSA1 за ціною від 424.99 грн до 862.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikza75n65rh5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+424.99 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikza75n65rh5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+469.72 грн
10+457.31 грн
25+424.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikza75n65rh5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+596.18 грн
100+571.87 грн
500+547.56 грн
1000+498.98 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikza75n65rh5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+596.18 грн
100+571.87 грн
500+547.56 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+677.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Виробник : INFINEON 3177182.pdf Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+862.57 грн
5+755.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
240+442.41 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikza75n65rh5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.