IM12S90EA2XKMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12S90EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohm
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2365.45 грн |
| 5+ | 2022.35 грн |
| 10+ | 1679.25 грн |
| 50+ | 1496.49 грн |
| 100+ | 1323.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IM12S90EA2XKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IM12S90EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohm, tariffCode: 85423990, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, Verlustleistung: 114W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.
Інші пропозиції IM12S90EA2XKMA1 за ціною від 1386.20 грн до 2662.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IM12S90EA2XKMA1 | Infineon Technologies |
Intelligent Power Modules - IPMs CIPOS Maxi CoolSiC MOSFET IPM |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| IM12S90EA2XKMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET IPM 1.2KV 17.6A 24-PWRDIP Packaging: Tube Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm) Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 2500Vrms Current: 17.6 A Voltage: 1.2 kV |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IM12S90EA2XKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Intelligent Power Modules - IPMs CIPOS Maxi CoolSiC MOSFET IPM
Intelligent Power Modules - IPMs CIPOS Maxi CoolSiC MOSFET IPM
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2598.21 грн |
| 10+ | 1849.77 грн |
| 100+ | 1386.89 грн |
| 560+ | 1386.20 грн |
| IM12S90EA2XKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET IPM 1.2KV 17.6A 24-PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 17.6 A
Voltage: 1.2 kV
Description: MOSFET IPM 1.2KV 17.6A 24-PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 17.6 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2662.30 грн |
| 14+ | 1844.41 грн |
| 112+ | 1731.08 грн |