Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IM12S90EA2XKMA1

IM12S90EA2XKMA1 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
Intelligent Power Modules - IPMs CIPOS Maxi CoolSiC MOSFET IPM

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IM12S90EA2XKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IM12S90EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohm, tariffCode: 85423990, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, Verlustleistung: 114W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції IM12S90EA2XKMA1 за ціною від 1727.24 грн до 2656.38 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IM12S90EA2XKMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IM12S90EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohm
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IM12S90EA2XKMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET IPM 1.2KV 17.6A 24-PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 17.6 A
Voltage: 1.2 kV

на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2656.38 грн
14+	1840.31 грн
112+	1727.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IM12S90EA2XKMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12S90EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohm
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IM12S90EA2XKMA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET IPM 1.2KV 17.6A 24-PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 17.6 A
Voltage: 1.2 kV

на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	2656.38 грн
14+	1840.31 грн
112+	1727.24 грн

В кошику од. на суму грн.