Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBF170R450M1XTMA1
IMBF170R450M1XTMA1

IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBF170R450M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c850e1ad9
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+183.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBF170R450M1XTMA1 за ціною від 199.19 грн до 1029.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBF170R450M1XTMA1 IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBF170R450M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c850e1ad9 Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.92 грн
10+308.13 грн
100+223.72 грн
500+199.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies infineon-imbf170r450m1-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1029.37 грн
19+763.07 грн
50+711.72 грн
100+609.15 грн
200+526.71 грн
500+492.33 грн
1000+472.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBF170R450M1_DataSheet_v02_03_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 IMBF170R450M1XTMA1 INFINEON 3154661.pdf Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 IMBF170R450M1XTMA1 INFINEON 3154661.pdf Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 Infineon-IMBF170R450M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c850e1ad9
IMBF170R450M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+474.92 грн
10+308.13 грн
100+223.72 грн
500+199.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 infineon-imbf170r450m1-datasheet-v02_03-en.pdf
IMBF170R450M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1029.37 грн
19+763.07 грн
50+711.72 грн
100+609.15 грн
200+526.71 грн
500+492.33 грн
1000+472.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 Infineon_IMBF170R450M1_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IMBF170R450M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 3154661.pdf
IMBF170R450M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 3154661.pdf
IMBF170R450M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.