Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R008M2HXTMA1
IMBG120R008M2HXTMA1

IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg120r008m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1502.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 7700 µohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 189A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 800W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm.

Інші пропозиції IMBG120R008M2HXTMA1 за ціною від 1771.20 грн до 3161.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r008m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2450.26 грн
10+1771.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r008m2hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3161.21 грн
10+2528.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r008m2hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3161.21 грн
10+2528.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R008M2H_DataSheet_v01_20_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 INFINEON 4410324.pdf Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 7700 µohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 INFINEON 4410324.pdf Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 7700 µohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 infineon-imbg120r008m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2450.26 грн
10+1771.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 infineonimbg120r008m2hdatasheetv0120en.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3161.21 грн
10+2528.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 infineonimbg120r008m2hdatasheetv0120en.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3161.21 грн
10+2528.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon_IMBG120R008M2H_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 4410324.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 7700 µohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 4410324.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 7700 µohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.