IMBG120R008M2HXTMA1

IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IMBG120R008M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21ffb9d62088 Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1587.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 189A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMBG120R008M2HXTMA1 за ціною від 1538.73 грн до 3809.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4410324.pdf Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2043.30 грн
50+1782.55 грн
100+1538.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R008M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21ffb9d62088 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2447.18 грн
10+1870.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG120R008M2H_DataSheet_v01_20_EN-3516253.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2712.54 грн
10+2040.99 грн
25+1774.01 грн
100+1658.44 грн
1000+1568.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4410324.pdf Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2766.18 грн
5+2404.74 грн
10+2043.30 грн
50+1782.55 грн
100+1538.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r008m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3537.42 грн
10+3482.02 грн
25+3426.61 грн
100+3250.81 грн
250+2960.54 грн
500+2794.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r008m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3809.53 грн
10+3749.86 грн
25+3690.20 грн
100+3500.87 грн
250+3188.28 грн
500+3009.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r008m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.