Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R012M2HXTMA1
IMBG120R012M2HXTMA1

IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r012m2hdatasheetv0130en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1609.08 грн
10+1434.87 грн
25+1414.27 грн
100+1360.14 грн
250+1256.05 грн
500+1201.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 144A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBG120R012M2HXTMA1 за ціною від 1167.03 грн до 1756.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r012m2hdatasheetv0130en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1609.08 грн
10+1434.87 грн
25+1414.27 грн
100+1360.14 грн
250+1256.05 грн
500+1201.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r012m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 144A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1756.52 грн
10+1226.05 грн
100+1167.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R012M2H_DataSheet_v01_20_EN-3516155.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 infineonimbg120r012m2hdatasheetv0130en.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1609.08 грн
10+1434.87 грн
25+1414.27 грн
100+1360.14 грн
250+1256.05 грн
500+1201.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 infineon-imbg120r012m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 144A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1756.52 грн
10+1226.05 грн
100+1167.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon_IMBG120R012M2H_DataSheet_v01_20_EN-3516155.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.