Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R022M2HXTMA1
IMBG120R022M2HXTMA1

IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+897.47 грн
10+883.33 грн
25+869.28 грн
100+824.69 грн
250+751.05 грн
500+708.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm.

Інші пропозиції IMBG120R022M2HXTMA1 за ціною від 708.97 грн до 1399.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+897.47 грн
17+883.33 грн
25+869.28 грн
100+824.69 грн
250+751.05 грн
500+708.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1399.05 грн
10+1063.77 грн
50+911.42 грн
1000+742.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1399.05 грн
14+1063.77 грн
50+911.42 грн
1000+742.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon_imbg120r022m2h_datasheet_en.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+897.47 грн
17+883.33 грн
25+869.28 грн
100+824.69 грн
250+751.05 грн
500+708.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1399.05 грн
10+1063.77 грн
50+911.42 грн
1000+742.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1399.05 грн
14+1063.77 грн
50+911.42 грн
1000+742.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 infineon_imbg120r022m2h_datasheet_en.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.