Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R026M2HXTMA1
IMBG120R026M2HXTMA1

IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r026m2hdatasheetv0120en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+816.55 грн
10+717.17 грн
25+713.96 грн
100+675.28 грн
250+613.05 грн
500+576.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 335W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm.

Інші пропозиції IMBG120R026M2HXTMA1 за ціною від 523.52 грн до 942.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r026m2hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+816.55 грн
20+717.17 грн
25+713.96 грн
100+675.28 грн
250+613.05 грн
500+576.81 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r026m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.29 грн
10+633.90 грн
100+523.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R026M2H_DataSheet_v01_20_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 INFINEON 4410320.pdf Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 335W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 INFINEON 4410320.pdf Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 335W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1 infineonimbg120r026m2hdatasheetv0120en.pdf
IMBG120R026M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+816.55 грн
20+717.17 грн
25+713.96 грн
100+675.28 грн
250+613.05 грн
500+576.81 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1 infineon-imbg120r026m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R026M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+942.29 грн
10+633.90 грн
100+523.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon_IMBG120R026M2H_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IMBG120R026M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1 4410320.pdf
IMBG120R026M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 335W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1 4410320.pdf
IMBG120R026M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 335W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.