Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R030M1HXTMA1
IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+530.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

Інші пропозиції IMBG120R030M1HXTMA1 за ціною від 624.81 грн до 1424.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+968.62 грн
100+920.19 грн
500+871.76 грн
1000+793.93 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+968.62 грн
100+920.19 грн
500+871.76 грн
1000+793.93 грн
10000+691.88 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.30 грн
10+732.61 грн
100+624.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1424.30 грн
10+1045.47 грн
25+1026.40 грн
50+980.17 грн
100+769.64 грн
250+738.27 грн
500+730.85 грн
1000+684.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON 3159566.pdf Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON 3159566.pdf Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+968.62 грн
100+920.19 грн
500+871.76 грн
1000+793.93 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+968.62 грн
100+920.19 грн
500+871.76 грн
1000+793.93 грн
10000+691.88 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1080.30 грн
10+732.61 грн
100+624.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1424.30 грн
10+1045.47 грн
25+1026.40 грн
50+980.17 грн
100+769.64 грн
250+738.27 грн
500+730.85 грн
1000+684.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 3159566.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 3159566.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.