Продукція > INFINEON > IMBG120R030M1HXTMA1
IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON

3159566.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+762.76 грн
50+672.75 грн
100+590.30 грн
250+585.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMBG120R030M1HXTMA1 за ціною від 524.74 грн до 1608.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+838.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+885.48 грн
100+849.98 грн
500+813.47 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1012.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 3159566.pdf Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1043.61 грн
5+903.59 грн
10+762.76 грн
50+672.75 грн
100+590.30 грн
250+585.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1109.17 грн
10+753.03 грн
100+575.36 грн
500+524.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1144.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG120R030M1H_DataSheet_v02_02_EN-3079758.pdf MOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1608.55 грн
10+1407.82 грн
25+1142.92 грн
50+1107.36 грн
100+1071.08 грн
250+999.96 грн
500+920.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.