Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R030M1HXTMA1
IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+509.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBG120R030M1HXTMA1 за ціною від 600.46 грн до 1386.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+745.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+988.11 грн
100+938.94 грн
500+889.77 грн
1000+809.45 грн
10000+705.59 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1038.37 грн
10+704.01 грн
100+600.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1054.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1386.17 грн
15+964.70 грн
50+945.97 грн
100+753.23 грн
1000+612.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON 3159566.pdf Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+745.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+988.11 грн
100+938.94 грн
500+889.77 грн
1000+809.45 грн
10000+705.59 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1038.37 грн
10+704.01 грн
100+600.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1054.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 infineonimbg120r030m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1386.17 грн
15+964.70 грн
50+945.97 грн
100+753.23 грн
1000+612.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 3159566.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.