Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R034M2HXTMA1
IMBG120R034M2HXTMA1

IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r034m2hdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+588.44 грн
10+579.16 грн
25+569.98 грн
100+540.78 грн
250+492.44 грн
500+464.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.

Інші пропозиції IMBG120R034M2HXTMA1 за ціною від 381.45 грн до 825.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r034m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+588.44 грн
26+569.98 грн
100+540.78 грн
250+492.44 грн
500+464.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_08-28-2024_DS_IMBG120R034M2H_v1.00_en.pdf SiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+814.55 грн
10+481.06 грн
500+393.48 грн
1000+381.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R034M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191c2210f0527b0 Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.24 грн
10+549.86 грн
50+445.33 грн
100+405.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 INFINEON 4423395.pdf Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 INFINEON 4423395.pdf Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 infineonimbg120r034m2hdatasheetv0100en.pdf
IMBG120R034M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+588.44 грн
26+569.98 грн
100+540.78 грн
250+492.44 грн
500+464.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon_08-28-2024_DS_IMBG120R034M2H_v1.00_en.pdf
IMBG120R034M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+814.55 грн
10+481.06 грн
500+393.48 грн
1000+381.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon-IMBG120R034M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191c2210f0527b0
IMBG120R034M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+825.24 грн
10+549.86 грн
50+445.33 грн
100+405.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 4423395.pdf
IMBG120R034M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 4423395.pdf
IMBG120R034M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.