Продукція > INFINEON > IMBG120R034M2HXTMA1
IMBG120R034M2HXTMA1

IMBG120R034M2HXTMA1 INFINEON

4423395.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+552.17 грн
250+541.28 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R034M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IMBG120R034M2HXTMA1 за ціною від 368.38 грн до 866.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r034m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.32 грн
10+528.51 грн
25+500.56 грн
100+452.54 грн
250+418.55 грн
500+401.44 грн
1000+400.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r034m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+664.80 грн
22+569.16 грн
25+539.07 грн
100+487.35 грн
250+450.75 грн
500+432.32 грн
1000+431.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_08_28_2024_DS_IMBG120R034M2H_v1_00_en-3499002.pdf SiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+782.65 грн
10+699.44 грн
25+600.67 грн
100+568.22 грн
1000+482.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R034M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191c2210f0527b0 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+833.42 грн
10+601.56 грн
100+549.00 грн
500+368.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4423395.pdf Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+866.83 грн
5+778.79 грн
10+690.75 грн
50+620.19 грн
100+552.17 грн
250+541.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r034m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R034M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191c2210f0527b0 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.