IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 627.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMBG120R034M2HXTMA1 за ціною від 357.82 грн до 855.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG120R034M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R034M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R034M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R034M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG120R034M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC DISCRETE |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG120R034M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R034M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IMBG120R034M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |