Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R040M2HXTMA1
IMBG120R040M2HXTMA1

IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg120r040m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+322.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm.

Інші пропозиції IMBG120R040M2HXTMA1 за ціною від 379.96 грн до 737.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r040m2hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.86 грн
10+521.64 грн
25+513.32 грн
100+486.97 грн
250+443.48 грн
500+418.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r040m2hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+529.86 грн
28+513.32 грн
100+486.97 грн
250+443.48 грн
500+418.61 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r040m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.03 грн
10+489.41 грн
100+379.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R040M2H_DataSheet_v01_20_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 infineonimbg120r040m2hdatasheetv0120en.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+529.86 грн
10+521.64 грн
25+513.32 грн
100+486.97 грн
250+443.48 грн
500+418.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 infineonimbg120r040m2hdatasheetv0120en.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+529.86 грн
28+513.32 грн
100+486.97 грн
250+443.48 грн
500+418.61 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 infineon-imbg120r040m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+737.03 грн
10+489.41 грн
100+379.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon_IMBG120R040M2H_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 4410319.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 4410319.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.