Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R045M1HXTMA1
IMBG120R045M1HXTMA1

IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+445.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBG120R045M1HXTMA1 за ціною від 476.42 грн до 1035.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+476.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+481.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+641.66 грн
25+631.46 грн
100+599.06 грн
250+545.57 грн
500+514.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.87 грн
10+641.66 грн
25+631.46 грн
100+599.06 грн
250+545.57 грн
500+514.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+770.35 грн
100+731.72 грн
500+693.08 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263 Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+821.30 грн
10+574.45 грн
100+525.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+955.33 грн
100+945.97 грн
200+822.77 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1035.26 грн
25+987.47 грн
50+947.73 грн
100+881.66 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R045M1H_DataSheet_v01_03_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+476.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+481.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+641.66 грн
25+631.46 грн
100+599.06 грн
250+545.57 грн
500+514.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+651.87 грн
10+641.66 грн
25+631.46 грн
100+599.06 грн
250+545.57 грн
500+514.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+770.35 грн
100+731.72 грн
500+693.08 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+821.30 грн
10+574.45 грн
100+525.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+955.33 грн
100+945.97 грн
200+822.77 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1035.26 грн
25+987.47 грн
50+947.73 грн
100+881.66 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon_IMBG120R045M1H_DataSheet_v01_03_EN.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.