IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+459.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +18V, -15V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IMBG120R045M1HXTMA1 за ціною від 432.06 грн до 959.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263 Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.06 грн
10+591.76 грн
100+541.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R045M1H_DataSheet_v01_03_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.62 грн
10+681.67 грн
100+499.72 грн
500+478.58 грн
1000+432.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+846.06 грн
10+591.76 грн
100+541.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon_IMBG120R045M1H_DataSheet_v01_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+959.62 грн
10+681.67 грн
100+499.72 грн
500+478.58 грн
1000+432.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.