Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R045M1HXTMA1

IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies

Name: IMBG120R045M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 27989199-5
Price: 439070 UAH
Availability: InStock

infineon-imbg120r045m1h-datasheet-v01_03-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	439.07 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMBG120R045M1HXTMA1 за ціною від 414.24 грн до 1109.17 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	473.26 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	524.42 грн
10+	516.21 грн
25+	508.00 грн
100+	481.93 грн
250+	438.90 грн
500+	414.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
22+	555.92 грн
25+	547.07 грн
100+	519.01 грн
250+	472.66 грн
500+	446.11 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	580.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	644.72 грн
50+	596.40 грн
100+	477.26 грн
250+	475.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
45+	690.74 грн
100+	662.34 грн
500+	634.95 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
45+	690.74 грн
100+	662.34 грн
500+	634.95 грн
1000+	578.04 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	796.95 грн
5+	721.24 грн
10+	644.72 грн
50+	596.40 грн
100+	477.26 грн
250+	475.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	833.59 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IMBG120R045M1H_DataSheet_v01_03_EN-3421711.pdf

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	906.72 грн
10+	710.17 грн
25+	613.19 грн
50+	611.73 грн
100+	507.96 грн
250+	505.06 грн
500+	495.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263

Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V

на замовлення 583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1109.17 грн
10+	751.82 грн
100+	573.30 грн
500+	519.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMBG120R045M1HXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.