Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R053M2HXTMA1
IMBG120R053M2HXTMA1

IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg120r053m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+251.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBG120R053M2HXTMA1 за ціною від 295.95 грн до 608.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r053m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.38 грн
10+409.11 грн
25+402.83 грн
100+382.39 грн
250+348.47 грн
500+329.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r053m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+415.38 грн
35+402.83 грн
100+382.39 грн
250+348.47 грн
500+329.15 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r053m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+542.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r053m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.86 грн
10+399.96 грн
100+295.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R053M2H_DataSheet_v01_20_EN-3516284.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 infineon-imbg120r053m2h-datasheet-v01_30-en.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+415.38 грн
10+409.11 грн
25+402.83 грн
100+382.39 грн
250+348.47 грн
500+329.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 infineon-imbg120r053m2h-datasheet-v01_30-en.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+415.38 грн
35+402.83 грн
100+382.39 грн
250+348.47 грн
500+329.15 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 infineon-imbg120r053m2h-datasheet-v01_30-en.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+542.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 infineon-imbg120r053m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.86 грн
10+399.96 грн
100+295.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon_IMBG120R053M2H_DataSheet_v01_20_EN-3516284.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.