IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 361.61 грн |
| 35+ | 350.69 грн |
| 100+ | 332.89 грн |
| 250+ | 303.36 грн |
| 500+ | 286.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMBG120R053M2HXTMA1 за ціною від 270.15 грн до 725.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMBG120R053M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R053M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG120R053M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG120R053M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R053M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R053M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IMBG120R053M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IMBG120R053M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |