Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R060M1HXTMA1
IMBG120R060M1HXTMA1

IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r060m1hdatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+560.79 грн
100+532.69 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 181W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBG120R060M1HXTMA1 за ціною від 335.88 грн до 958.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r060m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+616.84 грн
22000+566.38 грн
33000+529.76 грн
44000+484.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R060M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecd5ef3266 Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.87 грн
10+415.68 грн
100+335.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r060m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+958.05 грн
25+913.81 грн
50+877.04 грн
100+815.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R060M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 INFINEON 3159568.pdf Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 INFINEON 3159568.pdf Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 infineonimbg120r060m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+616.84 грн
22000+566.38 грн
33000+529.76 грн
44000+484.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R060M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecd5ef3266
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+628.87 грн
10+415.68 грн
100+335.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 infineonimbg120r060m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+958.05 грн
25+913.81 грн
50+877.04 грн
100+815.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon_IMBG120R060M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 3159568.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 3159568.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.