Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R078M2HXTMA1
IMBG120R078M2HXTMA1

IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg120r078m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+237.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBG120R078M2HXTMA1 за ціною від 237.75 грн до 716.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r078m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.90 грн
10+344.12 грн
25+339.53 грн
100+322.88 грн
250+294.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r078m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+369.90 грн
43+344.12 грн
44+339.53 грн
100+322.88 грн
250+294.87 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r078m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.27 грн
10+392.91 грн
50+313.10 грн
100+269.73 грн
500+262.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon_imbg120r078m2h_datasheet_en.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 39 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+619.69 грн
10+430.01 грн
100+302.45 грн
500+269.34 грн
1000+237.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r078m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+716.36 грн
10+520.06 грн
50+439.52 грн
100+374.47 грн
500+333.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r078m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+716.36 грн
29+520.06 грн
50+439.52 грн
100+374.47 грн
500+333.17 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 infineonimbg120r078m2hdatasheeten.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+369.90 грн
10+344.12 грн
25+339.53 грн
100+322.88 грн
250+294.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 infineonimbg120r078m2hdatasheeten.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+369.90 грн
43+344.12 грн
44+339.53 грн
100+322.88 грн
250+294.87 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 infineon-imbg120r078m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+602.27 грн
10+392.91 грн
50+313.10 грн
100+269.73 грн
500+262.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 infineon_imbg120r078m2h_datasheet_en.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 39 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+619.69 грн
10+430.01 грн
100+302.45 грн
500+269.34 грн
1000+237.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 infineonimbg120r078m2hdatasheeten.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+716.36 грн
10+520.06 грн
50+439.52 грн
100+374.47 грн
500+333.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 infineonimbg120r078m2hdatasheeten.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+716.36 грн
29+520.06 грн
50+439.52 грн
100+374.47 грн
500+333.17 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.