Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R116M2HXTMA1
IMBG120R116M2HXTMA1

IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg120r116m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+175.73 грн
2000+166.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 123W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm.

Інші пропозиції IMBG120R116M2HXTMA1 за ціною від 191.26 грн до 460.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r116m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.90 грн
10+277.26 грн
25+274.52 грн
100+260.71 грн
250+237.60 грн
500+224.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r116m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+310.90 грн
52+274.52 грн
100+260.71 грн
250+237.60 грн
500+224.53 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r116m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.54 грн
10+298.03 грн
100+215.63 грн
500+191.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R116M2H_DataSheet_v01_20_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 INFINEON 4410316.pdf Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 INFINEON 4410316.pdf Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 infineonimbg120r116m2hdatasheeten.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+310.90 грн
10+277.26 грн
25+274.52 грн
100+260.71 грн
250+237.60 грн
500+224.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 infineonimbg120r116m2hdatasheeten.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+310.90 грн
52+274.52 грн
100+260.71 грн
250+237.60 грн
500+224.53 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 infineon-imbg120r116m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+460.54 грн
10+298.03 грн
100+215.63 грн
500+191.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon_IMBG120R116M2H_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 4410316.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 4410316.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.