IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 320.60 грн |
| 45+ | 315.63 грн |
| 50+ | 299.48 грн |
| 100+ | 272.78 грн |
| 250+ | 257.62 грн |
| 500+ | 253.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMBG120R140M1HXTMA1 за ціною від 197.33 грн до 523.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 325.66 грн |
| 10+ | 320.60 грн |
| 25+ | 315.63 грн |
| 50+ | 299.48 грн |
| 100+ | 272.78 грн |
| 250+ | 257.62 грн |
| 500+ | 253.28 грн |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 379.32 грн |
| 100+ | 360.59 грн |
| 500+ | 341.86 грн |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 459.87 грн |
| 50+ | 452.38 грн |
| 100+ | 451.44 грн |
| 500+ | 400.10 грн |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 523.42 грн |
| 10+ | 341.18 грн |
| 100+ | 249.03 грн |
| 500+ | 197.33 грн |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)