IMBG120R140M1HXTMA1

IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies


infineon-imbg120r140m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+263.88 грн
10+259.79 грн
25+255.76 грн
50+242.68 грн
100+221.04 грн
250+208.75 грн
500+205.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMBG120R140M1HXTMA1 за ціною від 212.24 грн до 562.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r140m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+279.77 грн
45+275.44 грн
50+261.34 грн
100+238.04 грн
250+224.81 грн
500+221.03 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 3159570.pdf Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+280.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r140m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+342.25 грн
100+327.95 грн
500+314.67 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r140m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+417.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG120R140M1H_DataSheet_v02_02_EN-3079751.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.22 грн
10+331.80 грн
25+280.11 грн
100+238.78 грн
250+237.25 грн
500+219.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 3159570.pdf Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+425.83 грн
10+343.41 грн
100+280.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecf171326c Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.95 грн
10+366.95 грн
100+267.84 грн
500+212.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r140m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecf171326c Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.