IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 283.79 грн |
| 45+ | 279.40 грн |
| 50+ | 265.10 грн |
| 100+ | 241.47 грн |
| 250+ | 228.04 грн |
| 500+ | 224.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMBG120R140M1HXTMA1 за ціною від 202.62 грн до 571.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |