Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R140M1HXTMA1
IMBG120R140M1HXTMA1

IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+98.15 грн
147+96.62 грн
150+95.08 грн
152+90.20 грн
250+82.14 грн
500+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm.

Інші пропозиції IMBG120R140M1HXTMA1 за ціною від 239.58 грн до 632.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+340.20 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+340.20 грн
500+322.48 грн
1000+304.76 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 19910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+340.20 грн
500+322.48 грн
1000+304.76 грн
10000+275.65 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecf171326c Description: SICFET N-CH 1200V 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.37 грн
10+329.29 грн
100+239.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+632.77 грн
10+441.22 грн
100+384.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+632.77 грн
33+441.22 грн
100+384.96 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R140M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 INFINEON 3159570.pdf Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 INFINEON 3159570.pdf Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+340.20 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+340.20 грн
500+322.48 грн
1000+304.76 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 19910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+340.20 грн
500+322.48 грн
1000+304.76 грн
10000+275.65 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecf171326c
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+506.37 грн
10+329.29 грн
100+239.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+632.77 грн
10+441.22 грн
100+384.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+632.77 грн
33+441.22 грн
100+384.96 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon_IMBG120R140M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 3159570.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 infineonimbg120r140m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 3159570.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.