IMBG120R181M2HXTMA1

IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies


infineon-imbg120r181m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+217.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMBG120R181M2HXTMA1 за ціною від 194.25 грн до 526.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+240.99 грн
500+194.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r181m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.54 грн
10+287.55 грн
25+286.49 грн
100+275.24 грн
250+253.91 грн
500+242.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r181m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+308.53 грн
100+296.41 грн
250+273.44 грн
500+261.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+401.66 грн
10+292.04 грн
100+240.99 грн
500+194.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R181M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d22004bd820dc Description: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.01 грн
10+271.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R181M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d22004bd820dc MOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.50 грн
10+445.21 грн
25+351.33 грн
100+322.24 грн
250+302.85 грн
500+291.66 грн
1000+246.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg120r181m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R181M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d22004bd820dc Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.