Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R220M1HXTMA1
IMBG120R220M1HXTMA1

IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecffdf326f
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+184.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMBG120R220M1HXTMA1 за ціною від 146.60 грн до 470.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.02 грн
10+275.59 грн
100+174.80 грн
500+171.98 грн
1000+146.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecffdf326f Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.62 грн
10+302.60 грн
100+218.52 грн
500+171.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 INFINEON 3159571.pdf Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.35 грн
10+311.65 грн
100+227.78 грн
500+208.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+421.02 грн
10+275.59 грн
100+174.80 грн
500+171.98 грн
1000+146.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecffdf326f
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+468.62 грн
10+302.60 грн
100+218.52 грн
500+171.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 3159571.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+470.35 грн
10+311.65 грн
100+227.78 грн
500+208.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.