Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R220M1HXTMA1
IMBG120R220M1HXTMA1

IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecffdf326f
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+179.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBG120R220M1HXTMA1 за ціною від 166.41 грн до 616.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+285.66 грн
500+270.44 грн
1000+255.22 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+331.19 грн
10000+304.10 грн
15000+284.44 грн
20000+260.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+424.28 грн
50+413.04 грн
100+412.10 грн
200+396.48 грн
500+323.63 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.98 грн
10+340.64 грн
25+328.37 грн
100+249.18 грн
250+228.13 грн
500+201.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+438.98 грн
42+340.64 грн
43+328.37 грн
100+249.18 грн
250+228.13 грн
500+201.02 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecffdf326f Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.91 грн
10+293.75 грн
100+212.12 грн
500+166.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+616.54 грн
25+590.05 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 INFINEON 3159571.pdf Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 INFINEON 3159571.pdf Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+285.66 грн
500+270.44 грн
1000+255.22 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+331.19 грн
10000+304.10 грн
15000+284.44 грн
20000+260.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+424.28 грн
50+413.04 грн
100+412.10 грн
200+396.48 грн
500+323.63 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+438.98 грн
10+340.64 грн
25+328.37 грн
100+249.18 грн
250+228.13 грн
500+201.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+438.98 грн
42+340.64 грн
43+328.37 грн
100+249.18 грн
250+228.13 грн
500+201.02 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecffdf326f
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+454.91 грн
10+293.75 грн
100+212.12 грн
500+166.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+616.54 грн
25+590.05 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 3159571.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1 3159571.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.