Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1

IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r350m1hdatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
148+239.79 грн
500+227.98 грн
1000+214.99 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 65W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm.

Інші пропозиції IMBG120R350M1HXTMA1 за ціною від 297.07 грн до 525.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r350m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.51 грн
10+359.26 грн
100+297.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r350m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+525.51 грн
40+359.26 грн
100+297.07 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R350M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON 3159572.pdf Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON 3159572.pdf Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 infineonimbg120r350m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+525.51 грн
10+359.26 грн
100+297.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 infineonimbg120r350m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+525.51 грн
40+359.26 грн
100+297.07 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon_IMBG120R350M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 3159572.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 3159572.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.