IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 217.72 грн |
| 500+ | 168.20 грн |
| 1000+ | 147.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMBG120R350M1HXTMA1 за ціною від 135.08 грн до 409.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG120R350M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R350M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG120R350M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG120R350M1HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG120R350M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG120R350M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IMBG120R350M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IMBG120R350M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IMBG120R350M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |