Технічний опис IMBG40R011M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 133A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 429W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm.
Інші пропозиції IMBG40R011M2HXTMA1 за ціною від 710.20 грн до 1097.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
 Description: SIC-MOSInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 82000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IMBG40R011M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 429W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC-MOS |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IMBG40R011M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 429W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SIC-MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1029.13 грн |
| 10+ | 728.10 грн |
| 100+ | 710.20 грн |
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1097.70 грн |
| 42000+ | 1022.81 грн |
| 63000+ | 966.07 грн |
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC-MOS
SiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)