Продукція > INFINEON > IMBG40R015M2HXTMA1
IMBG40R015M2HXTMA1

IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON

4384410.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+585.41 грн
250+544.25 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON

Description: SIC-MOS, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V.

Інші пропозиції IMBG40R015M2HXTMA1 за ціною від 544.25 грн до 1212.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG40R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f5801017032f3 Description: SIC-MOS
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+609.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG40R015M2H_DataSheet_v02_00_EN-3483300.pdf SiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.84 грн
10+858.71 грн
25+727.11 грн
50+686.48 грн
100+645.84 грн
250+625.52 грн
500+584.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1212.11 грн
5+997.21 грн
10+781.48 грн
50+680.31 грн
100+585.41 грн
250+544.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg40r015m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG40R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f5801017032f3 Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.