IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 500.52 грн |
| 26+ | 497.03 грн |
| 100+ | 475.84 грн |
| 250+ | 437.49 грн |
| 500+ | 416.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMBG40R025M2HXTMA1 за ціною від 320.62 грн до 806.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMBG40R025M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG40R025M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG40R025M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC-MOS |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG40R025M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMBG40R025M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cool SiC G2 MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IMBG40R025M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |