Продукція > INFINEON > IMBG40R025M2HXTMA1
IMBG40R025M2HXTMA1

IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON

4384411.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+579.86 грн
50+493.64 грн
100+414.31 грн
250+406.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBG40R025M2HXTMA1 за ціною від 334.29 грн до 700.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+677.21 грн
5+628.96 грн
10+579.86 грн
50+493.64 грн
100+414.31 грн
250+406.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG40R025M2H_DataSheet_v02_00_EN-3483379.pdf SiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+700.78 грн
10+591.84 грн
100+428.62 грн
500+393.90 грн
1000+334.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg40r025m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.