Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG40R036M2HXTMA1
IMBG40R036M2HXTMA1

IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+456.01 грн
32+454.03 грн
100+435.91 грн
250+401.77 грн
500+384.01 грн
1000+382.23 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm.

Інші пропозиції IMBG40R036M2HXTMA1 за ціною від 279.59 грн до 623.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.89 грн
10+456.01 грн
25+454.03 грн
100+435.91 грн
250+401.77 грн
500+384.01 грн
1000+382.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.57 грн
10+409.08 грн
100+300.83 грн
500+279.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf SiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+457.89 грн
10+456.01 грн
25+454.03 грн
100+435.91 грн
250+401.77 грн
500+384.01 грн
1000+382.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+623.57 грн
10+409.08 грн
100+300.83 грн
500+279.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 4384412.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 4384412.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.