IMBG40R045M2HXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 425.86 грн |
| 100+ | 344.87 грн |
| 500+ | 286.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG40R045M2HXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMBG40R045M2HXTMA1 за ціною від 208.83 грн до 581.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG40R045M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC-MOS |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG40R045M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cool SiC G2 MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
товару немає в наявності |