Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG40R045M2HXTMA1
IMBG40R045M2HXTMA1

IMBG40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG40R045M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm.

Інші пропозиції IMBG40R045M2HXTMA1 за ціною від 279.86 грн до 388.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG40R045M2HXTMA1 IMBG40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384413.pdf Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 IMBG40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384413.pdf Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+331.70 грн
100+318.21 грн
250+293.12 грн
500+279.86 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.10 грн
10+333.40 грн
25+331.70 грн
100+318.21 грн
250+293.12 грн
500+279.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+388.85 грн
60000+357.04 грн
90000+333.95 грн
120000+305.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 4384413.pdf
IMBG40R045M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 4384413.pdf
IMBG40R045M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+331.70 грн
100+318.21 грн
250+293.12 грн
500+279.86 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+335.10 грн
10+333.40 грн
25+331.70 грн
100+318.21 грн
250+293.12 грн
500+279.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+388.85 грн
60000+357.04 грн
90000+333.95 грн
120000+305.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.