IMBG40R045M2HXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG40R045M2HXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm.
Інші пропозиції IMBG40R045M2HXTMA1 за ціною від 277.37 грн до 385.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IMBG40R045M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 328.75 грн |
| 100+ | 315.38 грн |
| 250+ | 290.51 грн |
| 500+ | 277.37 грн |
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 332.12 грн |
| 10+ | 330.43 грн |
| 25+ | 328.75 грн |
| 100+ | 315.38 грн |
| 250+ | 290.51 грн |
| 500+ | 277.37 грн |
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 385.39 грн |
| 60000+ | 353.87 грн |
| 90000+ | 330.99 грн |
| 120000+ | 302.63 грн |