Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R007M2HXTMA1
IMBG65R007M2HXTMA1

IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg65r007m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1280.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 789W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm.

Інші пропозиції IMBG65R007M2HXTMA1 за ціною від 1509.50 грн до 3162.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r007m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1719.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r007m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2167.58 грн
10+1532.53 грн
50+1509.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r007m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3162.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG65R007M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 INFINEON 4159862.pdf Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 INFINEON 4159862.pdf Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 infineon-imbg65r007m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1719.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 infineon-imbg65r007m2h-datasheet-en.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2167.58 грн
10+1532.53 грн
50+1509.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 infineon-imbg65r007m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+3162.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon_IMBG65R007M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 4159862.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 4159862.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.