Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R007M2HXTMA1
IMBG65R007M2HXTMA1

IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG65R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dd631e55252b0 Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1861.17 грн
10+1510.36 грн
100+1351.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V, Power Dissipation (Max): 789W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMBG65R007M2HXTMA1 за ціною від 1376.58 грн до 2453.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG65R007M2H_DataSheet_v01_00_EN-3422249.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 963 шт:
термін постачання 182-191 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2453.47 грн
10+2003.66 грн
25+1640.00 грн
100+1528.25 грн
250+1474.55 грн
500+1409.96 грн
1000+1376.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dd631e55252b0 IMBG65R007M2HXTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dd631e55252b0 IMBG65R007M2HXTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dd631e55252b0 Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.