IMBG65R007M2HXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1756.45 грн |
| 50+ | 1630.20 грн |
| 100+ | 1347.32 грн |
| 250+ | 1310.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG65R007M2HXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 789W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMBG65R007M2HXTMA1 за ціною від 1134.32 грн до 2020.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V Power Dissipation (Max): 789W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IMBG65R007M2HXTMA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V Power Dissipation (Max): 789W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |