IMBG65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 583.92 грн |
| 24+ | 525.64 грн |
| 25+ | 514.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMBG65R020M2HXTMA1 за ціною від 423.10 грн до 990.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG65R020M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG65R020M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMBG65R020M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |