Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R022M1HXTMA1
IMBG65R022M1HXTMA1

IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg65r022m1hdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+427.56 грн
10+420.81 грн
25+413.98 грн
100+392.60 грн
250+357.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції IMBG65R022M1HXTMA1 за ціною від 357.50 грн до 1858.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r022m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+427.56 грн
34+413.98 грн
100+392.60 грн
250+357.50 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49799d240d74 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+620.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r022m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+1031.43 грн
100+979.92 грн
500+928.40 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49799d240d74 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.26 грн
10+839.66 грн
100+730.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r022m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1858.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 INFINEON 3671360.pdf Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r022m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG65R022M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 INFINEON 3671360.pdf Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 infineonimbg65r022m1hdatasheetv0200en.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+427.56 грн
34+413.98 грн
100+392.60 грн
250+357.50 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49799d240d74
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+620.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 infineonimbg65r022m1hdatasheetv0200en.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+1031.43 грн
100+979.92 грн
500+928.40 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49799d240d74
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1229.26 грн
10+839.66 грн
100+730.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 infineonimbg65r022m1hdatasheetv0200en.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1858.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 3671360.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 infineonimbg65r022m1hdatasheetv0200en.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon_IMBG65R022M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 3671360.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.