IMBG65R057M1HXTMA1

IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies


infineon-imbg65r057m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+690.34 грн
10+659.15 грн
25+651.80 грн
100+576.54 грн
250+522.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 161W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 161W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IMBG65R057M1HXTMA1 за ціною від 497.28 грн до 992.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r057m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+743.45 грн
18+709.85 грн
25+701.94 грн
100+620.89 грн
250+562.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 3671356.pdf Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+863.44 грн
50+739.67 грн
100+624.73 грн
250+612.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 3671356.pdf Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+992.96 грн
5+928.62 грн
10+863.44 грн
50+739.67 грн
100+624.73 грн
250+612.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG65R057M1H_DataSheet_v02_00_EN-3163922.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 294-303 дні (днів)
Кількість Ціна
1+934.96 грн
10+847.84 грн
100+621.79 грн
500+553.88 грн
1000+507.09 грн
2000+497.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r057m1h-datasheet-v02_00-en.pdf SP005539175
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r057m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R057M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49e7874715a2 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R057M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49e7874715a2 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.