Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R060M2HXTMA1
IMBG65R060M2HXTMA1

IMBG65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg65r060m2hdatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+227.05 грн
10+212.72 грн
25+210.64 грн
100+195.21 грн
250+180.67 грн
500+171.18 грн
1000+162.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 148W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

Інші пропозиції IMBG65R060M2HXTMA1 за ціною від 162.93 грн до 545.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r060m2hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+227.05 грн
67+212.72 грн
68+210.64 грн
100+195.21 грн
250+180.67 грн
500+171.18 грн
1000+162.93 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b0019387a31dca4258 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.54 грн
10+355.72 грн
100+259.93 грн
500+236.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG65R060M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 INFINEON 4470072.pdf Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 INFINEON 4470072.pdf Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 infineonimbg65r060m2hdatasheetv0202en.pdf
IMBG65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+227.05 грн
67+212.72 грн
68+210.64 грн
100+195.21 грн
250+180.67 грн
500+171.18 грн
1000+162.93 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 Infineon-IMBG65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b0019387a31dca4258
IMBG65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+545.54 грн
10+355.72 грн
100+259.93 грн
500+236.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 Infineon_IMBG65R060M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IMBG65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 4470072.pdf
IMBG65R060M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 4470072.pdf
IMBG65R060M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.