Продукція > INFINEON > IMBG65R060M2HXTMA1
IMBG65R060M2HXTMA1

IMBG65R060M2HXTMA1 INFINEON

4470072.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+415.39 грн
100+335.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R060M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMBG65R060M2HXTMA1 за ціною від 184.28 грн до 494.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimbg65r060m2hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.45 грн
10+366.63 грн
25+339.93 грн
100+306.17 грн
250+280.09 грн
500+265.53 грн
1000+262.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimbg65r060m2hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+434.45 грн
39+366.63 грн
42+339.93 грн
100+306.17 грн
250+280.09 грн
500+265.53 грн
1000+262.19 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG65R060M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.86 грн
10+345.48 грн
100+242.70 грн
500+216.97 грн
1000+184.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4470072.pdf Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+494.09 грн
10+415.39 грн
100+335.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimbg65r060m2hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.