Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R083M1HXTMA1
IMBG65R083M1HXTMA1

IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg65r083m1hdatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+96.72 грн
10+95.21 грн
25+93.70 грн
100+88.89 грн
250+80.95 грн
500+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IMBG65R083M1HXTMA1 за ціною від 76.41 грн до 334.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r083m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+96.72 грн
148+95.21 грн
150+93.70 грн
153+88.89 грн
250+80.95 грн
500+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r083m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+334.83 грн
500+317.27 грн
1000+299.71 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 INFINEON 3671354.pdf Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 INFINEON 3671354.pdf Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 infineonimbg65r083m1hdatasheetv0201en.pdf
IMBG65R083M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
146+96.72 грн
148+95.21 грн
150+93.70 грн
153+88.89 грн
250+80.95 грн
500+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 infineonimbg65r083m1hdatasheetv0201en.pdf
IMBG65R083M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+334.83 грн
500+317.27 грн
1000+299.71 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 3671354.pdf
IMBG65R083M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 3671354.pdf
IMBG65R083M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.