Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R107M1HXTMA1
IMBG65R107M1HXTMA1

IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg65r107m1hdatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
117+302.91 грн
500+286.41 грн
1000+271.08 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm.

Інші пропозиції IMBG65R107M1HXTMA1 за ціною від 179.73 грн до 557.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0b8bd1650 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+309.24 грн
100+225.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG65R107M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.98 грн
10+310.44 грн
100+202.99 грн
500+190.30 грн
1000+179.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON 3671353.pdf Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r107m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+557.63 грн
10+378.39 грн
100+305.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r107m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+557.63 грн
38+378.39 грн
100+305.41 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON 3671353.pdf Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMBG65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0b8bd1650 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 24A; 110W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+275.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0b8bd1650
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+477.34 грн
10+309.24 грн
100+225.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon_IMBG65R107M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+485.98 грн
10+310.44 грн
100+202.99 грн
500+190.30 грн
1000+179.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 3671353.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+516.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 infineonimbg65r107m1hdatasheetv0201en.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+557.63 грн
10+378.39 грн
100+305.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 infineonimbg65r107m1hdatasheetv0201en.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+557.63 грн
38+378.39 грн
100+305.41 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 3671353.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0b8bd1650
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 24A; 110W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+275.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.